霍爾效應(yīng)

  置于磁場(chǎng)中的導(dǎo)體（或半導(dǎo)體），當(dāng)有電流流過時(shí)，在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向會(huì)產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)（霍爾電勢(shì)），原因是電荷受到洛倫茲力的作用。

定向運(yùn)動(dòng)的電子除受到洛侖茲力外，還受到霍爾電場(chǎng)的作用，當(dāng)fl=fE時(shí)，達(dá)到平衡，此時(shí)

基本特性

額定激勵(lì)電流和***大允許激勵(lì)電流當(dāng)霍爾元件自身溫升10度時(shí)所流過的激勵(lì)電流以元件***大溫升為限制所對(duì)應(yīng)的激勵(lì)電流

輸入電阻和輸出電阻激勵(lì)電極間的電阻電壓源內(nèi)阻

不等位電勢(shì)和不等位電阻當(dāng)霍爾元件的激勵(lì)電流為I時(shí)，若元件所處位置磁感應(yīng)強(qiáng)度為零，此時(shí)測(cè)得的空載霍爾電勢(shì)。不等位電勢(shì)就是激勵(lì)電流經(jīng)不等位電阻所產(chǎn)生的電壓。

寄生直流電勢(shì)

霍爾電勢(shì)溫度系數(shù)

誤差補(bǔ)償

零點(diǎn)誤差：

不等位電勢(shì)：電極引出時(shí)偏斜，半導(dǎo)體的電阻特性（等勢(shì)面傾斜）造成。激勵(lì)電極接觸不良。

  寄生直流電勢(shì)：由于霍耳元件是半導(dǎo)體，外接金屬導(dǎo)線時(shí)，易引起PN節(jié)效應(yīng)，當(dāng)電流為交流電時(shí)，整個(gè)霍耳元件形成整流效應(yīng)，PN節(jié)壓降構(gòu)成寄生直流電勢(shì)，帶來輸出誤差。

補(bǔ)償方法制作工藝上保證電極對(duì)稱、歐姆接觸電路補(bǔ)償 

霍爾元件的溫度補(bǔ)償

  誤差原因：溫度變化時(shí)，KH,Ri（輸入電阻）變化

補(bǔ)償辦法

對(duì)溫度引起的I進(jìn)行補(bǔ)償。采用恒流源供電。但只能減小由于輸入電阻隨溫度變化所引起的激勵(lì)電流的變化的影響。

對(duì)KHI乘積項(xiàng)同時(shí)進(jìn)行補(bǔ)償。采用恒流源與輸入回路并聯(lián)電阻。

傳遞矩陣

傳遞矩陣

機(jī)械阻抗質(zhì)量為m、彈簧剛度為k，阻尼系數(shù)為c的單自由度機(jī)械振動(dòng)系統(tǒng)。設(shè)在力F作用下產(chǎn)生的振動(dòng)速度和位移分別為v(圖中即ν)和x，由此可列出力平衡方程電阻R、電感L和電容C組成的串聯(lián)電路，設(shè)電源電壓為u，回路電流為i、電荷為q。由此可列出電壓平衡方程

這兩個(gè)微分方程式雖然機(jī)電內(nèi)容不同，但形式相同。因此，這兩個(gè)系統(tǒng)為一對(duì)相似系統(tǒng)。一個(gè)系統(tǒng)可以根據(jù)求解它的微分方程來討論其動(dòng)態(tài)特性，故上述兩相似系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)特性必然一致，可以實(shí)現(xiàn)機(jī)電模擬。一對(duì)相似系統(tǒng)

單自由度機(jī)械振動(dòng)系統(tǒng)； RLC串聯(lián)電路

  在電路中存在著電阻抗，它是將電流與電壓聯(lián)系起來的一個(gè)參數(shù)，可以設(shè)想，如同電路中的電阻抗一樣，假設(shè)機(jī)械系統(tǒng)存在“機(jī)械阻抗”ZM。類似于電系統(tǒng)，由第一個(gè)式子可得可見ZM是將機(jī)械系統(tǒng) 中某一點(diǎn)上的運(yùn)動(dòng)響 應(yīng)與引起這個(gè)運(yùn)動(dòng)的力聯(lián)系起來的一個(gè)參數(shù)。由此可得，作簡(jiǎn)諧運(yùn)動(dòng)的線性機(jī)械系統(tǒng)的機(jī)械阻抗的定義為機(jī)械阻抗ZM(復(fù)數(shù))=激振力(復(fù)數(shù))/運(yùn)動(dòng)響應(yīng)(復(fù)數(shù))

引用機(jī)械阻抗概念來分析機(jī)械系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)特性，就可以用簡(jiǎn)單的代數(shù)方法求得描述動(dòng)態(tài)特性的傳遞函數(shù)，而不必求解微分方程。